Память оперативная/ Kingston 8GB 2666MHz DDR4 ECC CL19 SODIMM 1Rx8 Micron R
На Заказ
| На Заказ (срок поставки до пункта выдачи 7-10 рабочих дней.) | в наличии |
Модуль памяти KSM26SES8/8MR от Kingston
Основные Характеристики
Модель
KSM26SES8/8MR
Общий объем памяти ГБ
8
Тип модуля
SO-DIMM
Частота MHz
DDR4 - 2666
Пропускная способность МБ/с
21300
Количество контактов
260
Габариты мм
-
Вес грамм
-
Дополнительная информация
-
Количество модулей в комплекте шт
1
Напряжение В
1.2
Тайминги
19-19-19-40
Производитель
Kingston
Высота мм
30
Чип
-
Потребление энергии
3 Вт
Поддержка ECC
Есть
Основные характеристики
-
Тайминги
-
Дополнительные характеристики
-
Объем одного модуля ГБ
8
Количество чипов на модуле
9
Линейка
-
CAS Latency CL
19
RAS to CAS Delay tRCD
19
Row Precharge Delay tRP
19
Activate to Precharge Delay tRAS
40
Нормальная операционная температура Tcase
85 С
Расширенная операционная температура Tcase
95 С
Компоновка чипов на модуле
Двусторонняя
Цвет
зеленый
Охлаждение
-
Тип оборудования
Оперативная память
