Samsung DDR5 16GB SODIMM 5600Mhz M425R2GA3BB0-CWM
| Центральный Склад (срок поставки до пункта выдачи 1-3 рабочих дней.) | в наличии |
Оперативная память M425R2GA3BB0-CWM от Samsung
Основные Характеристики
Модель
M425R2GA3BB0-CWM
Общий объем памяти ГБ
16
Тип модуля
SO-DIMM
Частота MHz
DDR5 - 5600
Пропускная способность МБ/с
44800
Количество контактов
262
Габариты мм
-
Вес грамм
-
Дополнительная информация
-
Количество модулей в комплекте шт
1
Напряжение В
-
Тайминги
40
Производитель
Samsung
Высота мм
-
Чип
-
Потребление энергии
-
Основные характеристики
-
Тайминги
-
Дополнительные характеристики
-
Объем одного модуля ГБ
16
Количество чипов на модуле
-
Линейка
-
CAS Latency CL
40
RAS to CAS Delay tRCD
-
Row Precharge Delay tRP
-
Activate to Precharge Delay tRAS
-
Нормальная операционная температура Tcase
-
Расширенная операционная температура Tcase
-
Компоновка чипов на модуле
-
Цвет
зеленый
Охлаждение
-
Тип оборудования
Оперативная память
