Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
| Центральный Склад (срок поставки до пункта выдачи 1-3 рабочих дней.) | в наличии |
| На Заказ (срок поставки до пункта выдачи 7-10 рабочих дней.) | в наличии |
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Основные Характеристики
Модель
M425R1GB4BB0-CWM
Общий объем памяти ГБ
8
Тип модуля
SO-DIMM
Частота MHz
DDR5 - 5600
Пропускная способность МБ/с
44800
Количество контактов
262
Габариты мм
-
Вес грамм
-
Дополнительная информация
-
Количество модулей в комплекте шт
1
Напряжение В
1.1
Тайминги
-
Производитель
Samsung
Высота мм
-
Чип
-
Потребление энергии
-
Основные характеристики
-
Тайминги
-
Дополнительные характеристики
-
Объем одного модуля ГБ
8
Количество чипов на модуле
-
Линейка
-
CAS Latency CL
-
RAS to CAS Delay tRCD
-
Row Precharge Delay tRP
-
Activate to Precharge Delay tRAS
-
Нормальная операционная температура Tcase
-
Расширенная операционная температура Tcase
-
Компоновка чипов на модуле
-
Поддержка водяного охлаждения
-
Цвет
-
Охлаждение
-
Тип оборудования
Оперативная память
